Een portfolio van 19 automotive-MOSFETs wordt gelanceerd: 's werelds eerste massaproductie op 12-inch wafers verlaagt de kosten per chip met maximaal 50%

Vermogens-MOSFETs vormen het hart van elk elektrisch apparaat – van huishoudelijke apparaten en industriële motoren tot elektronische besturingen voor nieuwe energievoertuigen en voedingen voor AI-datacenters. Het nieuwe T2X-technologieplatform optimaliseert de gate-structuur, het dopingprofiel en het terminatieontwerp om de inschakelweerstand bij hetzelfde chipoppervlak aanzienlijk te verlagen en tegelijkertijd dynamische parameters zoals gate-lading en gate-drain-lading te verbeteren. Hierdoor worden zowel geleidingsverliezen als schakelverliezen tegelijkertijd verminderd en wordt de traditionele beperking doorbroken dat een lage inschakelweerstand een grotere chip vereist.

Nexperia is wereldwijd nummer 1 op het gebied van small-signal-MOSFETs en behoort wereldwijd tot de top drie op het gebied van automotive-vermogens-MOSFETs. De eigen 12-inch SGT T2X automotive-MOSFETs van Nexperia China behoren tot de marktleiders op het gebied van geleidingsverliezen, thermische prestaties, bestendigheid tegen overspanningspieken en EMI-eigenschappen. Daarmee wordt een leemte op het gebied van 12-inch automotive MOSFETs voor hoge spanning opgevuld.

De producten die nu in massaproductie gaan, hebben een volledige gestandaardiseerde betrouwbaarheidsverificatie doorlopen voor zowel automotive- als industriële toepassingen. Volgens informatie uit de sector bedraagt de effectieve chipopbrengst van één 12-inch wafer ongeveer 5,7 keer die van een 5-inch wafer, ongeveer 4 keer die van een 6-inch wafer en ongeveer 2,2 tot 2,4 keer die van een 8-inch wafer. Wat de kosten per chip betreft, betekent dit een verlaging van ongeveer 70% ten opzichte van 5-inch wafers, ongeveer 60% ten opzichte van 6-inch wafers en ongeveer 50% ten opzichte van 8-inch wafers.

De nieuwe 40V-producten bereiken een inschakelweerstand van slechts 0,48 milliohm, een verbetering van meer dan 50% ten opzichte van de vorige generatie. Het 80V-platform bereikt een minimale inschakelweerstand van 1,3 milliohm, 45% lager dan bij de vorige generatie. De thermische weerstand en lawine-energie van de componenten behoren tot de beste in de sector, met een voorsprong van ongeveer 20%. Ook de betrouwbaarheid bij temperatuurcycli op printplaatniveau gedurende 2.000 uur behoort tot de marktleiders.

Nexperia China heeft een portfolio van 19 automotive-MOSFET-producten in het bereik van 40–100V uitgebracht. Deze producten zijn ontworpen voor carrosserie-elektronica, infotainment, bescherming tegen omgekeerde polariteit van batterijen en LED-verlichting. Automotive-grade 100V-producten bereiken een inschakelweerstand van slechts 0,99 m? en kunnen veilige stromen van meer dan 460 A verwerken. Hierdoor zijn ze geschikt voor onboard chargers (OBC's), tractie-omvormers en batterijmanagementsystemen (BMS).

De nieuwe generatie MOS-producten is inmiddels opgenomen in de toeleveringsketens van toonaangevende Chinese klanten op het gebied van nieuwe energievoertuigen. Massaproductie en levering zijn gepland voor de tweede helft van 2026. De volledige productserie overtreft de AEC-Q101-norm. De uitvalpercentages van kerncomponenten voor remsystemen, chassis, stuurinrichting en batterijbescherming worden beheerst op het niveau van enkele parts per billion.

Ook op het gebied van productontwikkeling is aanzienlijke vooruitgang geboekt. Waar de ontwikkelingscyclus van Nexperia voorheen 24 tot 36 maanden bedroeg, is deze nu teruggebracht tot 6 tot 12 maanden. Het lokalisatiepercentage van sommige kerncomponenten is verhoogd van minder dan 20% naar bijna 100%.

Bedrijf: Nexperia Semiconductors (China) Ltd.
Contactpersoon: TOM
E-mail: [email protected]
Website: https://www.nexperia.cn
Land: China
Stad: Shanghai